10月11日，中國領(lǐng)先的一站式IP和定制芯片領(lǐng)導(dǎo)者INNOSILICON宣布，它已完成基于SMIC FinFET N + 1先進(jìn)工藝的全球首個(gè)芯片出帶和測(cè)試。全部IP全部由內(nèi)部制作，并且功能已通過測(cè)試。
這是經(jīng)過過去幾個(gè)月的流程迭代和共同努力后獲得的一個(gè)里程碑式的結(jié)果。 “ N + 1”表示是SMIC第二代高級(jí)流程的代號(hào)。
與現(xiàn)有的14nm工藝相比，其性能提高了20％，功耗降低了57％，邏輯面積減少了63％。面積減少了55％。
根據(jù)官方網(wǎng)站的信息，信東科技是中國芯片IP和芯片定制的一站式領(lǐng)導(dǎo)者，提供全球主流代工廠（TSMC /三星/ GlobalFoundries / SMIC /聯(lián)華電子/英特爾/上海華立/武漢鑫芯等）。 ），這是一套完整的高速混合電路IP內(nèi)核和ASIC定制解決方案，范圍從180nm到5nm，尤其是22nm以下的FinFET工藝的完整覆蓋范圍。
它是僅有的具有兩個(gè)代工廠（TSMC，三星）的國內(nèi)5nm工藝庫和設(shè)計(jì)流程，這是一家具有膠片功能的技術(shù)提供商。 Core Motion Technology繼續(xù)專注于全球先進(jìn)的處理芯片IP和定制，擁有全方位的獨(dú)立高帶寬高性能計(jì)算IP技術(shù)，多次填補(bǔ)了國內(nèi)先進(jìn)技術(shù)的空白，其核心技術(shù)為大眾提供了支持為全球客戶生產(chǎn)數(shù)十億個(gè)高端SOC。
自2019年以來，中芯國際的N + 1流程尚未成熟，團(tuán)隊(duì)克服了整個(gè)流程中的困難，投資了數(shù)千萬人民幣進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化，并率先完成了NTO流片?；贜 + 1工藝的首款芯片已經(jīng)經(jīng)歷了幾個(gè)月的測(cè)試循環(huán)，經(jīng)過了多輪測(cè)試，幫助中芯國際突破了N + 1工藝的產(chǎn)量瓶頸。
如今，新東科技已成功驗(yàn)證了基于國內(nèi)N + 1新工藝的首個(gè)里程碑式NTO出帶，并為國內(nèi)半導(dǎo)體生態(tài)鏈做出了新貢獻(xiàn)。 21ic家族此前也曾報(bào)道說，中芯國際已經(jīng)公開對(duì)其N + 1生成過程的進(jìn)展做出了回應(yīng)。
中芯國際表示，N + 1工藝將于2020年底小批量試生產(chǎn)。可以預(yù)見，N + 1批量生產(chǎn)的時(shí)間不會(huì)太長。
免責(zé)聲明：本文內(nèi)容經(jīng)21ic授權(quán)后發(fā)布，版權(quán)歸原作者所有。該平臺(tái)僅提供信息存儲(chǔ)服務(wù)。
本文僅代表作者的個(gè)人觀點(diǎn)，并不代表該平臺(tái)的立場(chǎng)。如有任何疑問，請(qǐng)與我們聯(lián)系，謝謝！
這是經(jīng)過過去幾個(gè)月的流程迭代和共同努力后獲得的一個(gè)里程碑式的結(jié)果。 “ N + 1”表示是SMIC第二代高級(jí)流程的代號(hào)。
與現(xiàn)有的14nm工藝相比，其性能提高了20％，功耗降低了57％，邏輯面積減少了63％。面積減少了55％。
根據(jù)官方網(wǎng)站的信息，信東科技是中國芯片IP和芯片定制的一站式領(lǐng)導(dǎo)者，提供全球主流代工廠（TSMC /三星/ GlobalFoundries / SMIC /聯(lián)華電子/英特爾/上海華立/武漢鑫芯等）。 ），這是一套完整的高速混合電路IP內(nèi)核和ASIC定制解決方案，范圍從180nm到5nm，尤其是22nm以下的FinFET工藝的完整覆蓋范圍。
它是僅有的具有兩個(gè)代工廠（TSMC，三星）的國內(nèi)5nm工藝庫和設(shè)計(jì)流程，這是一家具有膠片功能的技術(shù)提供商。 Core Motion Technology繼續(xù)專注于全球先進(jìn)的處理芯片IP和定制，擁有全方位的獨(dú)立高帶寬高性能計(jì)算IP技術(shù)，多次填補(bǔ)了國內(nèi)先進(jìn)技術(shù)的空白，其核心技術(shù)為大眾提供了支持為全球客戶生產(chǎn)數(shù)十億個(gè)高端SOC。
自2019年以來，中芯國際的N + 1流程尚未成熟，團(tuán)隊(duì)克服了整個(gè)流程中的困難，投資了數(shù)千萬人民幣進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化，并率先完成了NTO流片?；贜 + 1工藝的首款芯片已經(jīng)經(jīng)歷了幾個(gè)月的測(cè)試循環(huán)，經(jīng)過了多輪測(cè)試，幫助中芯國際突破了N + 1工藝的產(chǎn)量瓶頸。
如今，新東科技已成功驗(yàn)證了基于國內(nèi)N + 1新工藝的首個(gè)里程碑式NTO出帶，并為國內(nèi)半導(dǎo)體生態(tài)鏈做出了新貢獻(xiàn)。 21ic家族此前也曾報(bào)道說，中芯國際已經(jīng)公開對(duì)其N + 1生成過程的進(jìn)展做出了回應(yīng)。
中芯國際表示，N + 1工藝將于2020年底小批量試生產(chǎn)。可以預(yù)見，N + 1批量生產(chǎn)的時(shí)間不會(huì)太長。
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