由于從平面晶體管向FinFET的過渡，過去10年中芯片性能的改善是微不足道的。然而，隨著制程技術(shù)繼續(xù)接近物理極限，芯片行業(yè)早已停止談?wù)撃柖伞?br>盡管業(yè)界對3nm及更高工藝中的環(huán)繞柵晶體管（GAAFET）的應(yīng)用前景非常樂觀，但這種轉(zhuǎn)換的成本必定很高。國外媒體指出，盡管當(dāng)前主要的芯片代工廠已經(jīng)在7nm或5nm工藝節(jié)點上提供了相當(dāng)大的生產(chǎn)能力，但包括臺積電和GlobalFoundries在內(nèi)的許多公司仍在努力工作。
征服基于下一代環(huán)繞柵晶體管（GAA）技術(shù)的3nm和2nm工藝節(jié)點。據(jù)報道，GAA-FET的優(yōu)勢在于更好的可擴展性，更快的切換時間，更好的驅(qū)動電流和更低的泄漏。
但是對于制造商而言，F(xiàn)inFET仍然是最有前途的選擇技術(shù)。例如，在去年的一次研討會上，臺積電聲稱其N3技術(shù)可以將性能提高50％，同時將功耗降低30％，其密度是N5工藝的1.7倍。
較早的消息稱，該公司計劃在2024年之前為2nm工藝的大規(guī)模生產(chǎn)做準備。然而，憑借經(jīng)過充分測試和更可預(yù)測的工藝節(jié)點，臺積電也有足夠的時間來測試GAA-FET在2nm節(jié)點下的應(yīng)用前景。
。同時，半導(dǎo)體工程公司表示，三星和英特爾也在努力實現(xiàn)從3nm到2nm工藝節(jié)點的過渡，三星有望在2022年底之前完成它。
TechSpot指出，GAA有很多類型-場效應(yīng)管。目前已知三星將使??用基于納米芯片的多橋溝道場效應(yīng)晶體管（簡稱MBC-FET）。
MBC-FET可被視為FinFET的側(cè)翻轉(zhuǎn)，其特征在于將柵電極包括在襯底上生長的納米硅晶片中，并且英特爾還公開了將采用基于“納米管”的類似方案。 （nanoribbons）在2025年。
當(dāng)然，在接替鮑勃·斯旺（BobSwan）的新任首席執(zhí)行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）的領(lǐng)導(dǎo)下，英特爾或許能夠加速向新工藝的過渡。最后，在允許FinFET和GAA-FET并駕齊驅(qū)的同時，芯片制造商還可以使用鍺（Ge），銻化鎵（GaSb），砷化銦（AsIn）和其他具有高遷移率特性的半導(dǎo)體材料。
發(fā)送“摩爾定律”；最后一程。負責(zé)編輯AJX
征服基于下一代環(huán)繞柵晶體管（GAA）技術(shù)的3nm和2nm工藝節(jié)點。據(jù)報道，GAA-FET的優(yōu)勢在于更好的可擴展性，更快的切換時間，更好的驅(qū)動電流和更低的泄漏。
但是對于制造商而言，F(xiàn)inFET仍然是最有前途的選擇技術(shù)。例如，在去年的一次研討會上，臺積電聲稱其N3技術(shù)可以將性能提高50％，同時將功耗降低30％，其密度是N5工藝的1.7倍。
較早的消息稱，該公司計劃在2024年之前為2nm工藝的大規(guī)模生產(chǎn)做準備。然而，憑借經(jīng)過充分測試和更可預(yù)測的工藝節(jié)點，臺積電也有足夠的時間來測試GAA-FET在2nm節(jié)點下的應(yīng)用前景。
。同時，半導(dǎo)體工程公司表示，三星和英特爾也在努力實現(xiàn)從3nm到2nm工藝節(jié)點的過渡，三星有望在2022年底之前完成它。
TechSpot指出，GAA有很多類型-場效應(yīng)管。目前已知三星將使??用基于納米芯片的多橋溝道場效應(yīng)晶體管（簡稱MBC-FET）。
MBC-FET可被視為FinFET的側(cè)翻轉(zhuǎn)，其特征在于將柵電極包括在襯底上生長的納米硅晶片中，并且英特爾還公開了將采用基于“納米管”的類似方案。 （nanoribbons）在2025年。
當(dāng)然，在接替鮑勃·斯旺（BobSwan）的新任首席執(zhí)行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）的領(lǐng)導(dǎo)下，英特爾或許能夠加速向新工藝的過渡。最后，在允許FinFET和GAA-FET并駕齊驅(qū)的同時，芯片制造商還可以使用鍺（Ge），銻化鎵（GaSb），砷化銦（AsIn）和其他具有高遷移率特性的半導(dǎo)體材料。
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