中國上海，2012年9月19日-LED領域的市場領導者Cree最近宣布推出其最新的低位錯（LBPD）100 mm 4H碳化硅外延晶片。
該低基極位錯材料的外延漂移層的總基極位錯密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基極位錯容量小于0.1cm-2。
這種新型的低基位錯材料的推出進一步反映了Cree對碳化硅材料技術的長期持續投資和創新。
Cree功率器件和射頻（RF）首席技術官John Palmour表示：“碳化硅雙極（Bipolar）器件的開發長期以來一直受基底平面錯位引起的正向電壓衰減的影響。
這種低基極位錯材料可用于高壓雙極型器件，例如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和關斷晶閘管（GTO），并提高這些器件的穩定性。
這一最新成果有助于消除磁滯高功率器件商業化的障礙。
＆amp; rdquo;碳化硅是一種高性能的半導體材料，廣泛用于照明，功率設備和通信設備的生產中，包括發光二極管（LED），功率轉換設備和用于無線通信的射頻功率晶體管。
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關于Cree（CREE）Cree成立于1987年，是美國的一家上市公司（1993年，納斯達克股票代碼：CREE），其產品用于全球LED外延，芯片，封裝，LED照明解決方案，化合物半導體材料，功率器件以及A-眾所周知的射頻制造商和行業領導者。
Cree的LED照明產品的優勢體現在其獨特的材料技術和先進的白光技術（就氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）而言）。
Cree LED產品擁有1,300多項美國專利，2,900多項國際專利，并擁有近390項中國專利（包括授權和正在申請的專利），一直處于世界領先水平。
Cree照明級大功率LED具有發光效率高，色點穩定，壽命長的優點。
Cree為客戶提供高質量，高度可靠的發光器件產品，但也為客戶提供了一整套LED照明解決方案。
Cree碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管開關器件（MOSFETSwitch）具有導通電阻小，溫度系數穩定，漏電流低，切換時間短以及Cree碳化硅肖特基功率二極管（SchottkyPowerDiode）零反向的特性，如恢復電流使Cree的碳化硅功率器件特別適用于需要高頻，高效率，高功率密度和高可靠性的功率電子系統。